来源：环球网

【环球网财经综合报道】据BusinessKorea等外媒报道，市场研究机构Counterpoint Research发布最新报告显示，受供需持续失衡影响，全球DRAM及NAND闪存价格在农历新年前后大幅上涨，多款产品价格环比涨幅�%。机构预测，供应短缺局面将至少持续�年下半年。

3�日，Counterpoint Research在线上研讨会中公布数据：2月中旬񑎁月上旬，64GB服务器用DDR5规格RDIMM内存条价格环比上�%；12GB移动端LPDDR5X内存价格上�%；笔记本电脑所񉎘GB DDR4规格SO-DIMM内存价格上�%。NAND闪存产品价格同步上�%�%，涨幅创下历史新高。

报告称，尽管三星、SK海力士等头部厂商计划投�万亿�万亿韩元用于扩产，但仍难以满足当前市场需求。2025年全球DRAM厂商产量预计增�%，NAND闪存产量增�%，但明显的产能提升要�年下半年才会出现，供应紧张问题届时才有望缓解。

Counterpoint Research研究员Hwang Min-sung表示，受供应紧张影响，今年HBM高带宽内存厂商将转向利润率竞争，而非单纯争夺市场份额。2024年SK海力士占据HBM出货量与收入�%，预计今年这一比例将有所下降；三星电子则有望在HBM4市场实现明显突破。由于SK海力士需对现有HBM4产品进行适配改造，其恢复节奏存在不确定性。

为最大化利润，内存供应商正暂停AI定制半导体相关定制化HBM生产，转向通用型内存。机构认为，在云服务商采购需求保持强劲的背景下，今年下半年内存价格下跌可能性较低。